NE5230DR2G

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

运算放大器 - 运算放大器

RoHS：

Y

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOIC-8

电源电压 - 最大值：

15 V

每通道输出电流：

6 mA

通道数：

1 Channel

英镑 - 增益带宽产品：

250 kHz

SR - 转换率：

0.09 V/us

CMRR - 共模抑制比：

85 dB

Ib - 输入偏置电流：

150 nA

Vos - 输入失调电压：

3 mV

电源电压 - 最小值：

1.8 V

工作电源电流：

110 uA

最低工作温度：

0 C

最高工作温度：

+ 70 C

关掉：

不停机

系列：

NE5230

打包：

卷轴

放大器类型：

低压放大器

高度：

1.5 mm (Max)

长度：

5 mm (Max)

产品：

运算放大器

供应类型：

单、双

技术：

双极

宽度：

4 mm (Max)

品牌：

安森美半导体

双电源电压：

+/- 3 V, +/- 5 V

en - 输入电压噪声密度：

60 nV/sqrt Hz

最大双电源电压：

+/- 7.5 V

最小双电源电压：

+/- 0.9 V

工作电源电压：

1.8 V to 15 V, +/- 0.9 V to +/- 7.5 V

Pd - 功耗：

500 mW (1/2 W)

产品类别：

运算放大器 - 运算放大器

PSRR - 电源抑制比：

85 dB

出厂包装数量：

2500

子类别：

放大器 IC

Vcm - 共模电压：

Negative Rail + 0.25 V to Positive Rail - 0.25 V

电压增益分贝：

126.02 dB

单位重量：

0.019048 oz

Tags

NE5230DR, NE5230D, NE5230, NE523, NE52, NE5