FGH40T65SHDF-F155

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

IGBT晶体管

RoHS：

Y

技术：

硅

包装/案例：

TO-247-3

安装方式：

通孔

配置：

单身的

集电极-发射极电压 VCEO 最大值：

650 V

集电极-发射极饱和电压：

1.45 V

最大栅极发射极电压：

30 V

25 C 时的连续集电极电流：

80 A

Pd - 功耗：

268 W

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 175 C

系列：

FGH40T65SHDF

打包：

管子

连续集电极电流 Ic 最大值：

80 A

品牌：

安森美半导体/飞兆半导体

栅极-发射极漏电流：

400 nA

产品类别：

IGBT晶体管

出厂包装数量：

450

子类别：

IGBT

第 # 部分别名：

FGH40T65SHDF_F155

单位重量：

0.225401 oz

Tags

FGH40T65SHDF, FGH40T65SHD, FGH40T65SH, FGH40T65S, FGH40T6, FGH40T, FGH40, FGH4, FGH