IRF1010EPBF

产品属性

属性值

制造商：

英飞凌

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-220-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

60 V

Id - 连续漏极电流：

81 A

Rds On - 漏源电阻：

12 mOhms

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

86.6 nC

Pd - 功耗：

170 W

配置：

单身的

打包：

管子

高度：

15.65 mm

长度：

10 mm

晶体管类型：

1 N-Channel

宽度：

4.4 mm

品牌：

英飞凌科技

产品类别：

MOSFET

出厂包装数量：

1000

子类别：

MOSFET

第 # 部分别名：

SP001569818

单位重量：

0.211644 oz

Tags

IRF1010EP, IRF1010E, IRF1010, IRF101, IRF10, IRF1, IRF