IPW65R420CFD

产品属性

属性值

制造商：

英飞凌

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-247-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

650 V

Id - 连续漏极电流：

8.7 A

Rds On - 漏源电阻：

420 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

4 V

Vgs - 栅源电压：

30 V

Qg - 门电荷：

32 nC

Pd - 功耗：

83.3 W

配置：

单身的

商品名：

酷摩

打包：

管子

高度：

21.1 mm

长度：

16.13 mm

系列：

CoolMOS CFD2

晶体管类型：

1 N-Channel

宽度：

5.21 mm

品牌：

英飞凌科技

秋季时间：

8 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

7 ns

出厂包装数量：

240

子类别：

MOSFET

第 # 部分别名：

IPW65R420CFDFKSA1 IPW65R42CFDXK SP000890686

单位重量：

1.340411 oz

Tags

IPW65R4, IPW65R, IPW65, IPW6, IPW