CSD23382F4T

产品属性

属性值

制造商：

德州仪器

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

PICOSTAR-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

P-通道

Vds - 漏源击穿电压：

12 V

Id - 连续漏极电流：

3.5 A

Rds On - 漏源电阻：

199 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

800 mV

Vgs - 栅源电压：

800 mV

Qg - 门电荷：

1.04 nC

Pd - 功耗：

500 mW (1/2 W)

配置：

单身的

频道模式：

增强

商品名：

场效应管

打包：

卷轴

高度：

0.35 mm

长度：

1 mm

系列：

CSD23382F4

晶体管类型：

1 P-Channel

宽度：

0.64 mm

品牌：

德州仪器

正向跨导 - 最小值：

3.4 S

秋季时间：

41 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

25 ns

出厂包装数量：

250

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

66 ns

典型的开启延迟时间：

28 ns

单位重量：

0.000014 oz

Tags

CSD2338, CSD233, CSD23, CSD2, CSD