BSD214SN H6327

产品属性

属性值

制造商：

英飞凌

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOT-363-6

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

20 V

Id - 连续漏极电流：

1.5 A

Rds On - 漏源电阻：

111 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

700 mV

Vgs - 栅源电压：

12 V

Qg - 门电荷：

800 pC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

500 mW (1/2 W)

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

高度：

0.9 mm

长度：

2 mm

系列：

BSD214

晶体管类型：

1 N-Channel

宽度：

1.25 mm

品牌：

英飞凌科技

正向跨导 - 最小值：

4 S

开发套件：

-

秋季时间：

1.4 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

7.8 ns

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

6.8 ns

典型的开启延迟时间：

4.1 ns

第 # 部分别名：

BSD214SNH6327XT BSD214SNH6327XTSA1 SP000917656

单位重量：

0.000265 oz

Tags

BSD214SNH, BSD214S, BSD214, BSD21, BSD2, BSD