MRF9045LR1

产品属性

属性值

制造商：

先进半导体公司

产品分类：

射频 MOSFET 晶体管

RoHS：

Y

晶体管极性：

N通道

技术：

硅

Id - 连续漏极电流：

4.25 A

Vds - 漏源击穿电压：

65 V

获得：

18.8 dB

输出功率：

60 W

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

NI-360

打包：

托盘

配置：

单身的

工作频率：

945 MHz

类型：

射频功率MOSFET

品牌：

先进半导体公司

正向跨导 - 最小值：

3 S

Pd - 功耗：

117 W

产品类别：

射频 MOSFET 晶体管

子类别：

MOSFET

Vgs - 栅源电压：

15 V

Vgs th - 栅源阈值电压：

4.8 V

单位重量：

0.032480 oz

Tags

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