FDD4N60NZ

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

TO-252-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

600 V

Id - 连续漏极电流：

1.7 A

Rds On - 漏源电阻：

1.9 Ohms

Vgs th - 栅源阈值电压：

5 V

Vgs - 栅源电压：

25 V

Qg - 门电荷：

8.3 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

114 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

商品名：

单场效应晶体管

打包：

卷轴

高度：

2.39 mm

长度：

6.73 mm

产品：

MOSFET

系列：

FDD4N60NZ

晶体管类型：

1 N-Channel

宽度：

6.22 mm

品牌：

安森美半导体/飞兆半导体

正向跨导 - 最小值：

3.4 S

秋季时间：

12.8 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

15.1 ns

出厂包装数量：

2500

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

30.2 ns

典型的开启延迟时间：

12.7 ns

单位重量：

0.009184 oz

Tags

FDD4, FDD