DMG4511SK4-13

产品属性

属性值

制造商：

二极管公司

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

TO-252-3

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N沟道，P沟道

Vds - 漏源击穿电压：

35 V

Id - 连续漏极电流：

5.3 A, 5 A

Rds On - 漏源电阻：

65 mOhms

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

18.7 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

1.54 W

配置：

双重的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

系列：

DMG4511

晶体管类型：

1 N-Channel, 1 P-Channel

品牌：

二极管公司

正向跨导 - 最小值：

4.5 S

秋季时间：

35.6 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

2.8 ns

出厂包装数量：

2500

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

33.2 ns

典型的开启延迟时间：

5.4 ns

Tags

DMG45, DMG4, DMG