FGD3N60UNDF

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

IGBT晶体管

RoHS：

Y

技术：

硅

包装/案例：

TO-252-3

安装方式：

贴片/贴片

配置：

单身的

集电极-发射极电压 VCEO 最大值：

600 V

集电极-发射极饱和电压：

2.4 V

最大栅极发射极电压：

20 V

25 C 时的连续集电极电流：

6 A

Pd - 功耗：

60 W

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

系列：

FGD3N60UNDF

打包：

卷轴

连续集电极电流 Ic 最大值：

3 A

品牌：

安森美半导体/飞兆半导体

栅极-发射极漏电流：

10 uA

产品类别：

IGBT晶体管

出厂包装数量：

2500

子类别：

IGBT

单位重量：

0.009184 oz

Tags

FGD3N, FGD3, FGD