ATF-511P8-TR1

产品属性

属性值

制造商：

博通有限公司

产品分类：

射频 JFET 晶体管

RoHS：

Y

晶体管类型：

EpHEMT

技术：

砷化镓

获得：

14.8 dB

Vds - 漏源击穿电压：

7 V

Vgs - 栅源击穿电压：

- 5 V to 1 V

Id - 连续漏极电流：

1 A

最大漏栅电压：

- 5 V to + 1 V

最低工作温度：

- 65 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

3 W

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

LPCC-8

打包：

卷轴

配置：

单双源

工作频率：

2 GHz

产品：

射频结型场效应管

类型：

GaAs EpHEMT

品牌：

博通/安华高

正向跨导 - 最小值：

2178 mmho

NF - 噪声系数：

1.4 dB

P1dB - 压缩点：

30 dBm

产品类别：

射频 JFET 晶体管

出厂包装数量：

3000

子类别：

晶体管

Tags

ATF-511P8-TR1, ATF-511P8-T, ATF-511, ATF-51, ATF-5, ATF