2N3762L

产品属性

属性值

制造商：

微芯片

产品分类：

双极晶体管 - BJT

RoHS：

N

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-5-3

晶体管极性：

PNP

配置：

单身的

集电极-发射极电压 VCEO 最大值：

40 V

集电极-基极电压 VCBO：

40 V

发射极基极电压 VEBO：

5 V

集电极-发射极饱和电压：

0.9 V

最大直流集电极电流：

1.5 A

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 200 C

直流电流增益 hFE 最大值：

120

打包：

铝箔袋

品牌：

微芯片/Microsemi

连续集电极电流：

1.5 A

DC 集电极/基极增益 hfe 最小值：

30

Pd - 功耗：

1 W

产品类别：

BJT - 双极晶体管

出厂包装数量：

1

子类别：

晶体管

Tags

2N3762, 2N376, 2N37, 2N3