H11N1SR2M

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

高速光耦合器

RoHS：

Y

包装/案例：

SMD-DIP-6

数据速率：

5 Mb/s

通道数：

1 Channel

输出类型：

打开收集器

隔离电压：

5300 Vrms

Vf - 正向电压：

1.4 V

如果 - 正向电流：

10 mA

Vr - 反向电压：

6 V

Pd - 功耗：

250 mW

最低工作温度：

- 40 C

最高工作温度：

+ 85 C

系列：

H11N1M

打包：

卷轴

高度：

3.53 mm

长度：

8.89 mm

输出电流：

50 mA

宽度：

6.6 mm

品牌：

安森美半导体/飞兆半导体

秋季时间：

12 ns

产品类别：

高速光耦合器

上升时间：

7.5 ns

出厂包装数量：

1000

子类别：

光耦合器

第 # 部分别名：

H11N1SR2M_NL

单位重量：

0.028572 oz

Tags

H11N1SR, H11N1S, H11N1, H11N, H11