NTD3055L104-1G

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-251-4

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

60 V

Id - 连续漏极电流：

12 A

Rds On - 漏源电阻：

104 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1 V

Vgs - 栅源电压：

5 V

Qg - 门电荷：

7.4 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 175 C

Pd - 功耗：

48 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

管子

高度：

6.35 mm

长度：

6.73 mm

系列：

NTD3055L104

晶体管类型：

1 N-Channel

类型：

MOSFET

宽度：

2.38 mm

品牌：

安森美半导体

正向跨导 - 最小值：

9.1 S

秋季时间：

40.5 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

104 ns

出厂包装数量：

75

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

19 ns

典型的开启延迟时间：

9.2 ns

单位重量：

0.139332 oz

Tags

NTD3055L104, NTD3055L10, NTD3055L1, NTD3055L, NTD305, NTD30, NTD3, NTD