MRFE8VP8600HSR5

产品属性

属性值

制造商：

恩智浦

产品分类：

射频 MOSFET 晶体管

RoHS：

Y

晶体管极性：

双 N 通道

技术：

硅

Id - 连续漏极电流：

2.8 A

Vds - 漏源击穿电压：

- 500 mV, 115 V

获得：

21 dB

输出功率：

140 W

最低工作温度：

- 40 C

最高工作温度：

+ 150 C

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

NI-1230S-4S

打包：

卷轴

工作频率：

470 MHz to 860 MHz

系列：

MRFE8VP8600H

类型：

射频功率MOSFET

品牌：

恩智浦/飞思卡尔

通道数：

2 Channel

Pd - 功耗：

1.25 kW

产品类别：

射频 MOSFET 晶体管

出厂包装数量：

50

子类别：

MOSFET

Vgs - 栅源电压：

- 6 V, 10 V

Vgs th - 栅源阈值电压：

1.3 V

第 # 部分别名：

935345546178

单位重量：

0.467870 oz

Tags

MRFE, MRF