2SK3017(F)

产品属性

属性值

制造商：

东芝

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-3PN-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

900 V

Id - 连续漏极电流：

8.5 A

Rds On - 漏源电阻：

1.25 Ohms

Vgs - 栅源电压：

30 V

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

90 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

高度：

20 mm

长度：

15.5 mm

系列：

2SK3017

晶体管类型：

1 N-Channel

宽度：

4.5 mm

品牌：

东芝

秋季时间：

25 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

25 ns

出厂包装数量：

50

子类别：

MOSFET

单位重量：

0.245577 oz

Tags

2SK301, 2SK30, 2SK3, 2SK