TSM200N03DPQ33 RGG

产品属性

属性值

制造商：

台积电

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

PDFN33-8

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

30 V

Id - 连续漏极电流：

20 A

Rds On - 漏源电阻：

17 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1.2 V

Vgs - 栅源电压：

10 V

Qg - 门电荷：

4.1 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

20 W

配置：

双重的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

晶体管类型：

双 N 沟道 PowerMOSFET

品牌：

台积电

正向跨导 - 最小值：

13 S

秋季时间：

4.6 ns

湿气敏感：

是的

产品类别：

MOSFET

上升时间：

7.2 ns

出厂包装数量：

5000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

15.8 ns

典型的开启延迟时间：

2.8 ns

Tags

TSM20, TSM2, TSM