NJVMJD210T4G

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

双极晶体管 - BJT

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

DPAK-3

晶体管极性：

PNP

配置：

单身的

集电极-发射极电压 VCEO 最大值：

25 V

集电极-基极电压 VCBO：

40 V

发射极基极电压 VEBO：

8 V

集电极-发射极饱和电压：

1.8 V

最大直流集电极电流：

10 A

增益带宽积 fT：

65 MHz

最低工作温度：

- 65 C

最高工作温度：

+ 150 C

系列：

MJD210

直流电流增益 hFE 最大值：

180 at 2 A, 1 V

打包：

卷轴

品牌：

安森美半导体

DC 集电极/基极增益 hfe 最小值：

45 at 2 A, 1 V

Pd - 功耗：

12.5 W

产品类别：

BJT - 双极晶体管

资质：

AEC-Q101

出厂包装数量：

2500

子类别：

晶体管

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NJVMJD2, NJVMJD, NJVM, NJV