SSM6K406TU,LF

产品属性

属性值

制造商：

东芝

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

UF-6

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

30 V

Id - 连续漏极电流：

4.4 A

Rds On - 漏源电阻：

25 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1.3 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

12.4 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

500 mW

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

系列：

SSM6K406TU

晶体管类型：

1 N-Channel

品牌：

东芝

正向跨导 - 最小值：

5.5 S

产品类别：

MOSFET

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

Tags

SSM6K40, SSM6K4, SSM6K, SSM6, SSM