IPN70R1K4P7SATMA1

产品属性

属性值

制造商：

英飞凌

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

PG-SOT-223-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

700 V

Id - 连续漏极电流：

4 A

Rds On - 漏源电阻：

1.15 Ohms

Vgs th - 栅源阈值电压：

2.5 V

Vgs - 栅源电压：

16 V

Qg - 门电荷：

4.7 nC

最低工作温度：

- 40 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

6.2 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

商品名：

酷摩

打包：

卷轴

系列：

CoolMOS P7

晶体管类型：

1 N-Channel

品牌：

英飞凌科技

秋季时间：

61 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

4.9 ns

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

63 ns

典型的开启延迟时间：

12 ns

第 # 部分别名：

IPN70R1K4P7S SP001657492

Tags

IPN70R1K4, IPN70R1, IPN70, IPN7, IPN