IGW25T120

产品属性

属性值

制造商：

英飞凌

产品分类：

IGBT晶体管

RoHS：

Y

技术：

硅

包装/案例：

TO-247-3

安装方式：

通孔

配置：

单身的

集电极-发射极电压 VCEO 最大值：

1200 V

集电极-发射极饱和电压：

1.7 V

最大栅极发射极电压：

20 V

25 C 时的连续集电极电流：

50 A

Pd - 功耗：

190 W

最低工作温度：

- 40 C

最高工作温度：

+ 150 C

系列：

止沟IGBT

打包：

管子

高度：

20.9 mm

长度：

15.9 mm

宽度：

5.3 mm

品牌：

英飞凌科技

栅极-发射极漏电流：

600 nA

产品类别：

IGBT晶体管

出厂包装数量：

240

子类别：

IGBT

商品名：

战壕

第 # 部分别名：

IGW25T120FKSA1 IGW25T12XK SP000013887

单位重量：

1.340411 oz

Tags

IGW25T120, IGW25T, IGW25, IGW2, IGW