IXFX21N100F

产品属性

属性值

制造商：

IXYS

产品分类：

射频 MOSFET 晶体管

RoHS：

Y

晶体管极性：

N通道

技术：

硅

Id - 连续漏极电流：

21 A

Vds - 漏源击穿电压：

1000 V

Rds On - 漏源电阻：

500 mOhms

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-247-3

打包：

管子

配置：

1 N-Channel

高度：

21.34 mm

长度：

16.13 mm

宽度：

5.21 mm

品牌：

IXYS

正向跨导 - 最小值：

15 S

通道数：

1 Channel

频道模式：

增强

秋季时间：

15 ns

Pd - 功耗：

500 W

产品类别：

射频 MOSFET 晶体管

Qg - 门电荷：

160 nC

上升时间：

16 ns

出厂包装数量：

30

子类别：

MOSFET

Vgs - 栅源电压：

20 V

Vgs th - 栅源阈值电压：

3 V

单位重量：

0.158733 oz

Tags

IXFX21, IXFX2, IXFX, IXF