NE650103M-A

产品属性

属性值

制造商：

电灯

产品分类：

射频 JFET 晶体管

RoHS：

Y

晶体管类型：

场效应管

技术：

砷化镓

获得：

11 dB

Vds - 漏源击穿电压：

15 V

Vgs - 栅源击穿电压：

- 7 V

Id - 连续漏极电流：

7 A

输出功率：

40 dBm

最高工作温度：

+ 175 C

Pd - 功耗：

33 W

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

3M

打包：

大部分

工作频率：

2.3 GHz

产品：

射频结型场效应管

类型：

GaAs MESFET

品牌：

电灯

P1dB - 压缩点：

40 dBm

产品类别：

射频 JFET 晶体管

出厂包装数量：

1

子类别：

晶体管

Tags

NE6501, NE650, NE65, NE6