IPI200N25N3 G

产品属性

属性值

制造商：

英飞凌

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-262-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

250 V

Id - 连续漏极电流：

64 A

Rds On - 漏源电阻：

20 mOhms

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

64 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 175 C

Pd - 功耗：

300 W

配置：

单身的

商品名：

优化MOS

打包：

管子

高度：

9.45 mm

长度：

10.2 mm

系列：

OptiMOS 3

晶体管类型：

1 N-Channel

宽度：

4.5 mm

品牌：

英飞凌科技

秋季时间：

12 nS

产品类别：

MOSFET

上升时间：

20 nS

出厂包装数量：

500

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

45 nS

第 # 部分别名：

IPI200N25N3GAKSA1 IPI2N25N3GXK SP000714308

单位重量：

0.084199 oz

Tags

IPI200N2, IPI200, IPI20, IPI2, IPI