TK2P90E,RQS

产品属性

属性值

制造商：

东芝

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

TO-252-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

900 V

Id - 连续漏极电流：

2 A

Rds On - 漏源电阻：

4.7 Ohms

Vgs th - 栅源阈值电压：

2.5 V

Vgs - 栅源电压：

30 V

Qg - 门电荷：

12 nC

最低工作温度：

-

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

80 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

商品名：

DTMOSIV

打包：

卷轴

高度：

2.3 mm

长度：

6.5 mm

晶体管类型：

1 N-Channel

宽度：

5.5 mm

品牌：

东芝

秋季时间：

22 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

25 ns

出厂包装数量：

2000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

70 ns

典型的开启延迟时间：

50 ns

Tags

TK2P9, TK2P, TK2