SI3443DVTRPBF

产品属性

属性值

制造商：

英飞凌

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

TSOP-6

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

P-通道

Vds - 漏源击穿电压：

20 V

Id - 连续漏极电流：

4.4 A

Rds On - 漏源电阻：

65 mOhms

Vgs - 栅源电压：

12 V

Qg - 门电荷：

11 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

2 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

高度：

1.1 mm

长度：

3 mm

晶体管类型：

1 P-Channel

类型：

HEXFET 功率 MOSFET

宽度：

1.5 mm

品牌：

英飞凌/红外

秋季时间：

72 ns

湿气敏感：

是的

产品类别：

MOSFET

上升时间：

33 ns

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

70 ns

典型的开启延迟时间：

12 ns

第 # 部分别名：

SP001563096

单位重量：

0.000705 oz

Tags

SI3443DVTR, SI3443DVT, SI3443DV, SI3443D, SI3443, SI344, SI34, SI3