CSD87384MT

产品属性

属性值

制造商：

德州仪器

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

PTAB-5

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

30 V

Id - 连续漏极电流：

30 A

Rds On - 漏源电阻：

6.4 mOhms, 1.95 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1.9 V, 1.7 V

Vgs - 栅源电压：

10 V

Qg - 门电荷：

9.2 nC, 40 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

8 W

配置：

双重的

频道模式：

增强

商品名：

场效应管

打包：

卷轴

高度：

0.45 mm

长度：

5 mm

系列：

CSD87384M

晶体管类型：

2 N-Channel

类型：

同步降压 NexFET 功率级

宽度：

3.5 mm

品牌：

德州仪器

正向跨导 - 最小值：

67 S, 240 S

秋季时间：

7.6 ns, 8.2 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

56 ns, 49 ns

出厂包装数量：

250

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

14 ns, 29 ns

典型的开启延迟时间：

8.7 ns, 17.5 ns

Tags

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