MJD45H11TM

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

双极晶体管 - BJT

RoHS：

E

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

TO-252-3

晶体管极性：

PNP

配置：

单身的

集电极-发射极电压 VCEO 最大值：

- 80 V

集电极-基极电压 VCBO：

- 5 V

发射极基极电压 VEBO：

- 5 V

集电极-发射极饱和电压：

- 1 V

最大直流集电极电流：

8 A

增益带宽积 fT：

40 MHz

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

系列：

MJD45H11

直流电流增益 hFE 最大值：

60

高度：

2.3 mm

长度：

6.6 mm

打包：

卷轴

宽度：

6.1 mm

品牌：

安森美半导体/飞兆半导体

连续集电极电流：

- 8 A

DC 集电极/基极增益 hfe 最小值：

40

Pd - 功耗：

20 W

产品类别：

BJT - 双极晶体管

出厂包装数量：

2500

子类别：

晶体管

第 # 部分别名：

MJD45H11TM_NL

单位重量：

0.016579 oz

Tags

MJD45H11TM, MJD45H11T, MJD45H, MJD45, MJD4, MJD