2N5088TAR

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

双极晶体管 - BJT

RoHS：

Y

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-92-3

晶体管极性：

NPN

配置：

单身的

集电极-发射极电压 VCEO 最大值：

30 V

集电极-基极电压 VCBO：

35 V

发射极基极电压 VEBO：

4.5 V

集电极-发射极饱和电压：

0.5 V

最大直流集电极电流：

0.1 A

增益带宽积 fT：

50 MHz

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

系列：

2N5088

直流电流增益 hFE 最大值：

900

高度：

4.7 mm

长度：

4.7 mm

打包：

弹药包

宽度：

3.93 mm

品牌：

安森美半导体/飞兆半导体

连续集电极电流：

0.1 A

DC 集电极/基极增益 hfe 最小值：

300

Pd - 功耗：

625 mW

产品类别：

BJT - 双极晶体管

出厂包装数量：

2000

子类别：

晶体管

第 # 部分别名：

2N5088TAR_NL

单位重量：

0.008466 oz

Tags

2N5088TA, 2N5088T, 2N5088, 2N508, 2N50, 2N5