BC858B TR

产品属性

属性值

制造商：

中央半导体

产品分类：

双极晶体管 - BJT

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOT-23-3

晶体管极性：

PNP

配置：

单身的

集电极-发射极电压 VCEO 最大值：

30 V

集电极-基极电压 VCBO：

30 V

发射极基极电压 VEBO：

5 V

集电极-发射极饱和电压：

0.65 V

最大直流集电极电流：

200 mA

增益带宽积 fT：

100 MHz

最低工作温度：

- 65 C

最高工作温度：

+ 150 C

系列：

BC858B

直流电流增益 hFE 最大值：

475 at 2 mA, 5 V

打包：

卷轴

品牌：

中央半导体

连续集电极电流：

100 mA

DC 集电极/基极增益 hfe 最小值：

220 at 2 mA, 5 V

Pd - 功耗：

350 mW

产品类别：

BJT - 双极晶体管

出厂包装数量：

3000

子类别：

晶体管

第 # 部分别名：

BC858B PBFREE TR

Tags

BC858BT, BC858B, BC858, BC85, BC8