NILMS4501NR2

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

N

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

QFN-4

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

24 V

Id - 连续漏极电流：

9.5 A

Rds On - 漏源电阻：

12 mOhms

Vgs - 栅源电压：

10 V

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 175 C

Pd - 功耗：

2.7 W

配置：

双重的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

高度：

1.9 mm

长度：

6.2 mm

晶体管类型：

2 N-Channel

类型：

MOSFET

宽度：

5.2 mm

品牌：

安森美半导体

正向跨导 - 最小值：

23 S

秋季时间：

6 ns, 6.5 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

15 ns

出厂包装数量：

2500

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

17 ns, 22.5 ns

典型的开启延迟时间：

12 ns, 8.5 ns

Tags

NIL