IRF6691TR1

产品属性

属性值

制造商：

英飞凌

产品分类：

MOSFET

RoHS：

N

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

直接场效应晶体管

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

20 V

Id - 连续漏极电流：

32 A

Rds On - 漏源电阻：

1.8 mOhms

Vgs - 栅源电压：

12 V

Qg - 门电荷：

47 nC

最低工作温度：

- 40 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

2.8 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

高度：

0.7 mm

长度：

6.35 mm

晶体管类型：

1 N-Channel

类型：

HEXFET 功率 MOSFET 加肖特基二极管

宽度：

5.05 mm

品牌：

英飞凌/红外

秋季时间：

10 ns

湿气敏感：

是的

产品类别：

MOSFET

上升时间：

95 ns

出厂包装数量：

1000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

25 ns

典型的开启延迟时间：

23 ns

第 # 部分别名：

SP001530888

单位重量：

0.017637 oz

Tags

IRF669, IRF66, IRF6, IRF