IXFN38N100Q2

IXFN38N100Q2
Mfr. #:
IXFN38N100Q2
制造商:
IXYS
描述:
MOSFET 38 Amps 1000V 0.25 Rds
生命周期:
制造商新产品。
数据表:
IXFN38N100Q2 数据表
交货:
DHL FedEx Ups TNT EMS
支付:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
产品属性
属性值
制造商
IXYS
产品分类
模块
系列
高功率场效应晶体管
打包
管子
单位重量
1.340411 oz
安装方式
贴片/贴片
商品名
超场效应晶体管
包装盒
SOT-227-4, miniBLOC
技术
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装型
底盘安装
通道数
1 Channel
供应商-设备-包
SOT-227B
配置
单双源
FET型
MOSFET N 沟道,金属氧化物
最大功率
890W
晶体管型
1 N-Channel
漏源电压 Vdss
1000V (1kV)
输入电容-Ciss-Vds
7200pF @ 25V
FET-Feature
标准
Current-Continuous-Drain-Id-25°C
38A
Rds-On-Max-Id-Vgs
250 mOhm @ 19A, 10V
Vgs-th-Max-Id
5V @ 8mA
栅极电荷-Qg-Vgs
250nC @ 10V
钯功耗
890 W
最高工作温度
+ 150 C
最低工作温度
- 55 C
秋季时间
15 ns
上升时间
28 ns
VGS-栅极-源极-电压
30 V
Id 连续漏极电流
38 A
Vds-漏-源-击穿电压
1000 V
Rds-On-Drain-Source-Resistance
250 mOhms
晶体管极性
N通道
典型关断延迟时间
57 ns
典型开启延迟时间
25 ns
通道模式
增强
Tags
IXFN38N1, IXFN38, IXFN3, IXFN, IXF
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
***ource
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, Low Intrinsic Rg High dV/dt, Low trr
***ical
Trans MOSFET N-CH 1KV 38A 4-Pin SOT-227B
***enic
1kV 38A 250m´Î@10V19A 890W 5V@8mA N Channel SOT-227B MOSFETs ROHS
*** Stop Electro
Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 1000V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
型号 制造商 描述 库存 价格
IXFN38N100Q2
DISTI # IXFN38N100Q2-ND
IXYS CorporationMOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227
RoHS: Compliant
Min Qty: 10
Container: Tube
Limited Supply - Call
    IXFN38N100Q2
    DISTI # 747-IXFN38N100Q2
    IXYS CorporationMOSFET 38 Amps 1000V 0.25 Rds
    RoHS: Compliant
    0
      图片 型号 描述
      IXFN38N100P

      Mfr.#: IXFN38N100P

      OMO.#: OMO-IXFN38N100P

      MOSFET 38 Amps 1000V
      IXFN38N80Q2

      Mfr.#: IXFN38N80Q2

      OMO.#: OMO-IXFN38N80Q2

      MOSFET 38 Amps 800V 0.22 Rds
      IXFN38N100

      Mfr.#: IXFN38N100

      OMO.#: OMO-IXFN38N100-1190

      全新原装
      IXFN38N100P

      Mfr.#: IXFN38N100P

      OMO.#: OMO-IXFN38N100P-IXYS-CORPORATION

      MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227B
      IXFN38N100Q2

      Mfr.#: IXFN38N100Q2

      OMO.#: OMO-IXFN38N100Q2-IXYS-CORPORATION

      MOSFET 38 Amps 1000V 0.25 Rds
      IXFN38N80Q2

      Mfr.#: IXFN38N80Q2

      OMO.#: OMO-IXFN38N80Q2-IXYS-CORPORATION

      MOSFET 38 Amps 800V 0.22 Rds
      可用性
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      Available
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      参考价格(美元)
      数量
      单价
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      1
      US$0.00
      US$0.00
      10
      US$0.00
      US$0.00
      100
      US$0.00
      US$0.00
      500
      US$0.00
      US$0.00
      1000
      US$0.00
      US$0.00
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