ECH8661-TL-H

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

ECH-8

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N沟道，P沟道

Vds - 漏源击穿电压：

30 V

Id - 连续漏极电流：

7 A

Rds On - 漏源电阻：

24 mOhms

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

11.8 nC, 13 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

1.3 W

配置：

双重的

打包：

卷轴

系列：

ECH8661

晶体管类型：

1 N-Channel, 1 P-Channel

品牌：

安森美半导体

正向跨导 - 最小值：

3.7 S, 5.2 S

秋季时间：

25 ns, 42 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

25 ns, 23 ns

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

43 ns, 63 ns

典型的开启延迟时间：

10 ns, 7.2 ns

单位重量：

0.000674 oz

Tags

ECH8661, ECH866, ECH86, ECH8, ECH