FDT3N40TF

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOT-223-4

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

400 V

Id - 连续漏极电流：

2 A

Rds On - 漏源电阻：

2.8 Ohms

Vgs th - 栅源阈值电压：

5 V

Vgs - 栅源电压：

30 V

Qg - 门电荷：

4.5 nC

Pd - 功耗：

2 W

配置：

单身的

打包：

卷轴

高度：

1.8 mm

长度：

6.5 mm

系列：

FDT3N40

晶体管类型：

1 N-Channel

宽度：

3.5 mm

品牌：

安森美半导体/飞兆半导体

正向跨导 - 最小值：

2 S

秋季时间：

25 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

30 ns

出厂包装数量：

4000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

10 ns

典型的开启延迟时间：

10 ns

单位重量：

0.003951 oz

Tags

FDT3, FDT