SI1499DH-T1-E3

产品属性

属性值

制造商：

威世

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOT-363-6

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

P-通道

Vds - 漏源击穿电压：

8 V

Id - 连续漏极电流：

1.6 A

Rds On - 漏源电阻：

78 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

350 mV

Vgs - 栅源电压：

4.5 V

Qg - 门电荷：

10.5 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

2.78 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

商品名：

沟槽场效应晶体管

打包：

卷轴

高度：

1 mm

长度：

2.1 mm

系列：

SI1

晶体管类型：

1 P-Channel

宽度：

1.25 mm

品牌：

威世 / Siliconix

正向跨导 - 最小值：

8 S

秋季时间：

60 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

40 ns

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

50 ns

典型的开启延迟时间：

9 ns

第 # 部分别名：

SI1499DH-E3

单位重量：

0.000265 oz

Tags

SI1499DH-T, SI1499, SI149, SI14, SI1