FDI030N06

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-262-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

60 V

Id - 连续漏极电流：

193 A

Rds On - 漏源电阻：

3.2 mOhms

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 175 C

Pd - 功耗：

231 W

配置：

单身的

商品名：

动力战壕

打包：

管子

高度：

7.88 mm

长度：

10.29 mm

系列：

FDI030N06

晶体管类型：

1 N-Channel

类型：

N 沟道 MOSFET

宽度：

4.83 mm

品牌：

安森美半导体/飞兆半导体

正向跨导 - 最小值：

154 S

秋季时间：

33 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

178 ns

出厂包装数量：

1000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

54 ns

典型的开启延迟时间：

39 ns

单位重量：

0.084199 oz

Tags

FDI030, FDI03, FDI0, FDI