AFT18HW355SR6

产品属性

属性值

制造商：

恩智浦

产品分类：

射频 MOSFET 晶体管

RoHS：

Y

晶体管极性：

N通道

技术：

硅

Vds - 漏源击穿电压：

65 V

获得：

15.2 dB

输出功率：

63 W

最低工作温度：

- 40 C

最高工作温度：

+ 225 C

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

NI-1230S-4

打包：

卷轴

配置：

单身的

工作频率：

1.8 GHz

系列：

AFT18HW355S

类型：

射频功率MOSFET

品牌：

恩智浦/飞思卡尔

频道模式：

增强

产品类别：

射频 MOSFET 晶体管

出厂包装数量：

150

子类别：

MOSFET

Vgs - 栅源电压：

10 V

Vgs th - 栅源阈值电压：

2.1 V

第 # 部分别名：

935320115128

单位重量：

0.297698 oz

Tags

AFT18HW, AFT18H, AFT18, AFT1, AFT