QPD1003

产品属性

属性值

制造商：

科沃

产品分类：

射频 JFET 晶体管

RoHS：

Y

晶体管类型：

HEMT

技术：

氮化镓碳化硅

获得：

19.9 dB

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

50 V

Vgs - 栅源击穿电压：

145 V

Id - 连续漏极电流：

15 A

输出功率：

540 W

最低工作温度：

- 40 C

最高工作温度：

+ 85 C

Pd - 功耗：

370 W

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

RF-565

打包：

托盘

配置：

单身的

工作频率：

1.2 GHz to 1.4 GHz

工作温度范围：

- 40 C to + 85 C

系列：

QPD

品牌：

科沃

开发套件：

QPD1003PCB401

产品类别：

射频 JFET 晶体管

出厂包装数量：

18

子类别：

晶体管

Vgs th - 栅源阈值电压：

- 2.8 V

第 # 部分别名：

1131389

Tags

QPD100, QPD10, QPD1, QPD