IPW60R190E6

产品属性

属性值

制造商：

英飞凌

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-247-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

600 V

Id - 连续漏极电流：

20.2 A

Rds On - 漏源电阻：

170 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

2.5 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

63 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

151 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

商品名：

酷摩

打包：

管子

高度：

21.1 mm

长度：

16.13 mm

系列：

CoolMOS E6

晶体管类型：

1 N-Channel

宽度：

5.21 mm

品牌：

英飞凌科技

秋季时间：

8 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

10 ns

出厂包装数量：

240

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

90 ns

典型的开启延迟时间：

12 ns

第 # 部分别名：

IPW60R190E6FKSA1 IPW6R19E6XK SP000797384

单位重量：

1.340411 oz

Tags

IPW60R190E, IPW60R190, IPW60R19, IPW60R1, IPW60, IPW6, IPW