PSMN8R5-100ESQ

产品属性

属性值

制造商：

Nexperia

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-262-3

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

100 V

Id - 连续漏极电流：

100 A

Rds On - 漏源电阻：

22.6 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

4 V

Qg - 门电荷：

111 nC

Pd - 功耗：

263 W

打包：

管子

品牌：

Nexperia

秋季时间：

43 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

35 ns

出厂包装数量：

50

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

87 ns

典型的开启延迟时间：

20 ns

单位重量：

0.084199 oz

Tags

PSMN8R5-100E, PSMN8R5-100, PSMN8R5-1, PSMN8R5, PSMN8, PSMN, PSM