SUP50N10-21P-GE3

产品属性

属性值

制造商：

威世

产品分类：

MOSFET

RoHS：

E

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-220-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

100 V

Id - 连续漏极电流：

50 A

Rds On - 漏源电阻：

17 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

2 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

68 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

125 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

商品名：

沟槽场效应晶体管

打包：

管子

系列：

桨板

晶体管类型：

1 N-Channel

品牌：

威世 / Siliconix

正向跨导 - 最小值：

40 S

秋季时间：

7 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

10 ns

出厂包装数量：

50

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

22 ns

典型的开启延迟时间：

10 ns

第 # 部分别名：

SUP40N10-30-GE3

单位重量：

0.211644 oz

Tags

SUP50N1, SUP50N, SUP50, SUP5, SUP