FDN86265P

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SSOT-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

P-通道

Vds - 漏源击穿电压：

150 V

Id - 连续漏极电流：

80 mA

Rds On - 漏源电阻：

1.2 Ohms

Vgs th - 栅源阈值电压：

3.3 V

Vgs - 栅源电压：

25 V

Qg - 门电荷：

2.9 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

1.5 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

商品名：

动力战壕

打包：

卷轴

高度：

1.12 mm

长度：

2.9 mm

系列：

FDN86265P

晶体管类型：

1 P-Channel

宽度：

1.4 mm

品牌：

安森美半导体/飞兆半导体

正向跨导 - 最小值：

1.5 S

秋季时间：

9.9 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

2.2 ns

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

7.9 ns

典型的开启延迟时间：

5.7 ns

单位重量：

0.001058 oz

Tags

FDN86265P, FDN8626, FDN862, FDN8, FDN