NID6002NT4G

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

TO-252-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

70 V

Id - 连续漏极电流：

6.5 A

Rds On - 漏源电阻：

210 mOhms

Vgs - 栅源电压：

14 V

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

2.5 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

高度：

2.38 mm

长度：

6.73 mm

系列：

NID6002N

晶体管类型：

1 N-Channel

宽度：

6.22 mm

品牌：

安森美半导体

秋季时间：

660 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

250 ns

出厂包装数量：

2500

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

840 ns

典型的开启延迟时间：

96 ns

单位重量：

0.139332 oz

Tags

NID6002N, NID600, NID6, NID