SSM5N16FUTE85LF

产品属性

属性值

制造商：

东芝

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOT-353-5

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

20 V

Id - 连续漏极电流：

100 mA

Rds On - 漏源电阻：

3 Ohms

Vgs th - 栅源阈值电压：

600 mV

Vgs - 栅源电压：

10 V

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

200 mW

配置：

双重的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

高度：

0.9 mm

长度：

2 mm

系列：

SSM5N16FU

宽度：

1.25 mm

品牌：

东芝

正向跨导 - 最小值：

40 mS

产品类别：

MOSFET

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

125 ns

典型的开启延迟时间：

70 ns

单位重量：

0.000212 oz

Tags

SSM5N16, SSM5N1, SSM5N, SSM5, SSM