PTVA102001EA-V1-R0

产品属性

属性值

制造商：

克里公司

产品分类：

射频 MOSFET 晶体管

RoHS：

Y

晶体管极性：

N通道

技术：

硅

Vds - 漏源击穿电压：

105 V

Rds On - 漏源电阻：

340 mOhms

获得：

18.5 dB

输出功率：

200 W

最高工作温度：

+ 225 C

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

H-36265-2

打包：

卷轴

工作频率：

960 MHz to 1600 MHz

类型：

射频功率MOSFET

品牌：

Wolfspeed / 克里

通道数：

1 Channel

产品类别：

射频 MOSFET 晶体管

出厂包装数量：

50

子类别：

MOSFET

Vgs - 栅源电压：

10 V

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