FCAB21350L1

产品属性

属性值

制造商：

松下

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

12 V

Id - 连续漏极电流：

12 A, 27 A

Rds On - 漏源电阻：

6.1 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

350 mV

Vgs - 栅源电压：

8 V

Qg - 门电荷：

48 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

450 mW, 2.1 W

配置：

双重的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

系列：

FCAB

晶体管类型：

2 N-Channel

品牌：

松下

秋季时间：

5 us

产品类别：

MOSFET

上升时间：

2.3 us

出厂包装数量：

1000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

9 us

典型的开启延迟时间：

1.2 us

Tags

FCAB21, FCAB, FCA