NTR1P02LT3G

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOT-23-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

P-通道

Vds - 漏源击穿电压：

20 V

Id - 连续漏极电流：

1.3 A

Rds On - 漏源电阻：

135 mOhms

Vgs - 栅源电压：

12 V

Qg - 门电荷：

5.5 nC

Pd - 功耗：

400 mW

配置：

单身的

打包：

卷轴

系列：

NTR1P02L

晶体管类型：

1 P-Channel

品牌：

安森美半导体

秋季时间：

20 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

15 ns

出厂包装数量：

10000

子类别：

MOSFET

单位重量：

0.000282 oz

Tags

NTR1P02LT, NTR1P02L, NTR1P, NTR1, NTR