NP180N04TUG-E1-AY

产品属性

属性值

制造商：

瑞萨电子

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

TO-263-7

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

40 V

Id - 连续漏极电流：

180 A

Rds On - 漏源电阻：

1.2 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

3 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

260 nC

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

288 W

配置：

单身的

打包：

管子

晶体管类型：

1 N-Channel

品牌：

瑞萨电子

正向跨导 - 最小值：

107 S

秋季时间：

21 ns

湿气敏感：

是的

产品类别：

MOSFET

上升时间：

43 ns

出厂包装数量：

800

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

104 ns

典型的开启延迟时间：

54 ns

单位重量：

0.077603 oz

Tags

NP180N04TU, NP180N04, NP180N, NP180, NP18, NP1