NTJD1155LT1G

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SC-88-6

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

P-通道

Vds - 漏源击穿电压：

8 V

Id - 连续漏极电流：

1.3 A

Rds On - 漏源电阻：

175 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

400 mV

Vgs - 栅源电压：

4.5 V

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

400 mW

配置：

双重的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

高度：

0.9 mm

长度：

2 mm

产品：

MOSFET 小信号

系列：

NTJD1155L

晶体管类型：

2 P-Channel

类型：

MOSFET

宽度：

1.25 mm

品牌：

安森美半导体

产品类别：

MOSFET

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

单位重量：

0.001093 oz

Tags

NTJD1155LT1G, NTJD1155L, NTJD1, NTJD, NTJ